Автоматическая высокотемпературная вакуумная установка для выращивания слитков полупроводникового карбида кремния
Предназначена для получения слитков полупроводникового карбида кремния с низкой плотностью дефектов
Области применения
Производство полупроводниковых приборов силовой, высокочастотной, радиационно-стойкой электроники, функционирующей в экстремальных условиях эксплуатации
Конкурентные преимущества
- Большая стабильность и управляемость в процессе эксплуатации за счет использования резистивного нагрева
- Высокоточное поддержание температуры и давления
- Более низкая стоимость установки по сравнению с зарубежными аналогами
Стадия разработки
- Две установки поставлены в Японию и КНР в соавторстве с ООО «Сектор» (Рыбинск)
- Ведется разработка установки для выращивания слитков карбида кремния диаметром 6-8 дюймов
Автоматическая высокотемпературная вакуумная установка для выращивания слитков полупроводникового карбида кремния
Основные технические характеристики
Характеристики установки
| Характеристика |
Значение |
| Мощность |
50 кВт |
| Максимальная температура |
2200 С |
| Вакуум |
10-4 Па |
| Точность поддержания температуры |
1 С |
| Точность поддержания давления газов |
3 Па |
Характеристики слитков карбида кремния
| Характеристика |
Значение |
| Политип |
4H |
| Диаметр |
до 100 мм |
| Плотность микропор |
<10 cм-2 |
| Уровень легирования (азот) |
до 103 cм-2 |
| Плотность дислокаций |
от 1017 до 1020 см-3 |
Правовая охрана
- Патент на изобретение № 2405071 «Способ получения монокристаллического SiC».
- Патент на изобретение №2603159 «Способ получения монокристаллического SiC»
- Патент на изобретение № 2736814 «Способ получения монокристаллического SiC»
- Евразийский патент на изобретение № 033855 «Способ подготовки тигля для выращивания монокристаллов карбида кремния»
- Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2018666210 «Программа для управления и визуализации технологического процесса выращивания слитков
Скачать информацию о разработке
Контакты
