Комплекс методов контроля и модификации поверхностных свойств адсорбционных центров полупроводников
Предназначен для улучшения газочувствительных свойств полупроводниковых металлооксидных сенсоров
Области применения
- Нанодиагностика типов и концентрации адсорбционных центров на поверхности металлооксидных материалов различного состава
- Разработка высокочувствительных полупроводниковых газоанализаторов
Конкурентные преимущества
- Высокая точность диагностики (точная дифференциация адсорбционных центров по их свойствам) по сравнению с термодесорбцией газов и паров, ИК-спектроскопией, микроскопическими методами
- Возможность направленного изменения содержания адсорбционных центров при физическом воздействии (электронно-лучевой обработке)
- Возможность получения газочувствительных слоев с заданными характеристиками (селективность, чувствительность, стабильность параметров при различной влажности)
Стадия разработки
Методы контроля и модификации поверхностных свойств адсорбционных центров апробированы на газочувствительных металлооксидных слоях ZnO, Fe2O3, ZnFe2O4, ZnSnO3
Механизм изменения структуры поверхности ZnO при жертвенном легировании йодом
Основные технические характеристики
Комплекс методов включает:
- Метод Танабе с использованием набора кислотно-основных индикаторов со значениями показателя кислотности от -4,4 до 14,2, позволяющий по изменению оптической плотности раствора каждого индикатора определить содержание соответствующих центров
- Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, позволяющий определить энергии связи химических элементов в диапазоне от 0 до 1350 эВ и дифференцировать поверхностные центры по их химическому составу
Способы модификации поверхности и изменения энергетических характеристик адсорбционных центров:
- Электронно-лучевая обработка проводится с помощью воздействия электронным пучком с энергией 900 кэВ и различной поглощенной дозе с помощью ускорителя электронов РТЭ-1В, что приводит к изменению химических связей на поверхности обрабатываемого материала и, следовательно, изменению концентрации центров различного типа
- Жертвенное легирование, заключающееся в добавлении дополнительных прекурсоров в процессе синтеза, в результате чего образуются соединения, способные улетучиваться при отжиге с образованием дефектов на поверхности
Скачать информацию о разработке
Контакты
