Метод диагностики распределения электрофизических свойств внутри зерен наноструктурированных ИК-излучательных слоев

Предназначен для контроля влияния термодинамических и кинетических условий получения и обработки материалов на образование p-n-перехода внутри зерен наноструктуры

Области применения

Производство ИК-фотоизлучателей и фотоприемников

Конкурентные преимущества

За счет снятия слоя собственного оксида на зерне халькогенида свинца достигается возможность формирования туннельного перехода с последующей операцией измерения распределения концентрации носителей заряда с образованием p-n-перехода

Стадия разработки

Проведена апробация метода диагностики на мелкосерийном производстве ИК-фотоприемников и фотоизлучателей

Основные технические характеристики