Способ получения наноструктурированных слоев для ИК-фотоприемников
Предназначен для увеличения быстродействия ИК-фотоприемников на основе халькогенидов свинца
Области применения
- Материаловедение микро- и наносистем
- ИК-оптоэлектроника
Конкурентные преимущества
- Значительное повышение быстродействия чувствительного элемента ИК-фотоприемника по сравнению с имеющимися на рынке за счет образования нановключений свинца на границе с диэлектрическим слоем
- Снижение влияния воздействия кислорода на чувствительный элемент за счет формирования защитной оксидной оболочки
- Отсутствие усложнения технологического процесса производства фоточувствительного слоя (зерна) при применении двухстадийного температурного отжига
Стадия разработки
- Проведены аналитические термодинамические расчеты для установления оптимальной температуры образования нановключений свинца
- Выполнена апробация способа получения наноструктурированных слоев для наноматериалов: PbS, PbSe
Модель зерна чувствительного элемента ИК-фотоприемника
Основные технические характеристики
| Характеристика |
Значение |
| Время фотоответа |
менее 5 мкс |
| Диапазон длин волн |
3…5 мкм |
Двухстадийный температурный отжиг:
- 1 стадия – образование плотного оксидного слоя
- 2 стадия – образование наночастиц чистого свинца на границе зерна халькогенида свинца и оксида («быстрые» состояния, активно ускоряющие процессы рекомбинации)
