Предназначена для предварительной очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков перед нанесением функциональных покрытий
Технология очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков на основе источника нейтральных частиц с мультикасповой магнитной системой за счет эффективной нейтрализации ионов и однородности выходного потока обеспечивает высокое качество очистки, исключает образование поверхностного потенциала и позволяет создавать на очищенных поверхностях функциональные покрытия с высоким уровнем адгезии и качественно сформированной структурой.
Производители изделий электроники, приборостроения и машиностроения, разработчики и производители ионно-плазменного технологического оборудования

Конструкция источника

Внешний вид источника
Процесс очистки образца
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Возможность очистки поверхностей | Поверхности практически любых материалов, включая широкозонные полупроводники и диэлектрики |
| Площадь одновременно очищаемой области поверхности | не менее 100 см2 |
| Продолжительность очистки поверхности | зависит от типа и степени загрязнений, но не превышает 1 ч для сложных случаев |
| Корпус устройства | в форме цилиндра диаметром 200 мм и высотой 250 мм |
Скачать информацию о разработке
| Центр трансфера технологий | |
| Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, дом 5, корпус 5, пом. 5432 | |
| +7 812 234-24-84 | |
| ctt@etu.ru |