Технология очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков

Предназначена для предварительной очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков перед нанесением функциональных покрытий

Аннотация

Технология очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков на основе источника нейтральных частиц с мультикасповой магнитной системой за счет эффективной нейтрализации ионов и однородности выходного потока обеспечивает высокое качество очистки, исключает образование поверхностного потенциала и позволяет создавать на очищенных поверхностях функциональные покрытия с высоким уровнем адгезии и качественно сформированной структурой.

Области применения

Производители изделий электроники, приборостроения и машиностроения, разработчики и производители ионно-плазменного технологического оборудования

Конкурентные преимущества

Стадия разработки

Конструкция источника

Внешний вид источника

Процесс очистки образца

Основные технические характеристики

Характеристика Значение
Возможность очистки поверхностей Поверхности практически любых материалов, включая широкозонные полупроводники и диэлектрики
Площадь одновременно очищаемой области поверхности не менее 100 см2
Продолжительность очистки поверхности зависит от типа и степени загрязнений, но не превышает 1 ч для сложных случаев
Корпус устройства в форме цилиндра диаметром 200 мм и высотой 250 мм

Правовая охрана

  • Патент на изобретение № 2770950 «Источник быстрых нейтральных частиц»
  • Патент на изобретение № 2832279 «Источник быстрых нейтральных частиц»

  Скачать информацию о разработке

Контакты

Центр трансфера технологий
+7 812 234-24-84
ctt@etu.ru