Предназначена для предварительной очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков перед нанесением функциональных покрытий
Технология очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков на основе источника нейтральных частиц с мультикасповой магнитной системой за счет эффективной нейтрализации ионов и однородности выходного потока обеспечивает высокое качество очистки, исключает образование поверхностного потенциала и позволяет создавать на очищенных поверхностях функциональные покрытия с высоким уровнем адгезии и качественно сформированной структурой.
Производители изделий электроники, приборостроения и машиностроения, разработчики и производители ионно-плазменного технологического оборудования
Конструкция источника
Внешний вид источника
Процесс очистки образца
Характеристика | Значение |
---|---|
Возможность очистки поверхностей | Поверхности практически любых материалов, включая широкозонные полупроводники и диэлектрики |
Площадь одновременно очищаемой области поверхности | не менее 100 см2 |
Продолжительность очистки поверхности | зависит от типа и степени загрязнений, но не превышает 1 ч для сложных случаев |
Корпус устройства | в форме цилиндра диаметром 200 мм и высотой 250 мм |
Скачать информацию о разработке
Центр трансфера технологий | |
Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, дом 5, корпус 5, пом. 5432 | |
+7 812 234-24-84 | |
ctt@etu.ru |