Технология синтеза высокочистого порошка карбида кремния

Предназначена для получения изображения поверхности объекта с высоким разрешением, а также информации о химическом составе поверхностного слоя

Области применения

Производство полупроводниковых приборов силовой, высокочастотной, радиационно-стойкой электроники, функционирующей в экстремальных условиях эксплуатации

Конкурентные преимущества

• Получение порошка карбида кремния, соответствующего квалификации ОСЧ
• Возможность выпуска порошка карбида кремния по программе импортозамещения ввиду того, что промышленный выпуск высокочистого порошка карбида кремния в РФ отсутствует
• Более низкая стоимость изготовления порошка карбида кремния по сравнению с зарубежными аналогами

Стадия разработки

Отработаны технологические режимы, защищенные патентами РФ

Основные технические характеристики

Характеристики порошка карбида кремния: