Технология выращивания слитков полупроводникового карбида кремния большого диаметра

Предназначена для получения слитков и подложек полупроводникового карбида кремния с низкой плотностью дефектов

Области применения

Производство полупроводниковых приборов силовой, высокочастотной, радиационно-стойкой электроники, функционирующей в экстремальных условиях эксплуатации

Конкурентные преимущества

При сохранении высокого качества кристаллов на уровне лучших мировых стандартов, а также выхода годных кристаллов, себестоимость пластины снижена более чем в 2 раза

Стадия разработки

Отработаны технологические режимы, защищенные патентами РФ

Основные технические характеристики

Характеристика	Значение
Политип	4H
Диаметр	до 100 мм
Плотность микропор	<10 cм^-2
Уровень легирования (азот)	до 10³ cм^-2
Плотность дислокаций	от 10¹⁷ до 10²⁰ см^-3

Правовая охрана

Патент на изобретение № 2736814 «Способ получения монокристаллического SiC»
Патент на изобретение № 2761199 «Способ получения монокристаллического SiC»
Патент на изобретение № 2768938 «Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H»

Скачать информацию о разработке

Контакты

	Центр трансфера технологий
	Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, дом 5, корпус 5, пом. 5432
	+7 812 234-24-84
	ctt@etu.ru